半导体光刻胶重点原料推荐：选对原料，助力制程效率升级

来源：作者：人气：-发表时间：2026-01-12 15:50:00【大中小】

在半导体制造的光刻工艺中，光刻胶是芯片精细化制程的核心材料，被称为 “芯片的感光灵魂”。随着芯片制程向 7nm 及以下节点演进，光刻胶对原料的性能要求愈发严苛。光刻胶的性能直接决定芯片的分辨率、良率与生产效率。随着全球半导体产业链国产化进程加速，光刻胶核心原料的选型与适配，已成为突破制程瓶颈、降本增效的关键抓手。

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战略重要性

· 技术迭代的关键纽带：光刻胶的发展与光刻技术同步演进，从 G 线、I 线到 KrF、ArF，再到 EUV 极紫外光刻，每一次波长缩短都依赖原料性能的突破，EUV 光刻胶更是 7nm 以下先进制程的 “刚需材料”。

· 市场需求与国产机遇：全球半导体光刻胶市场长期被日美企业垄断，高端制程光刻胶国产化率低。核心原料的技术壁垒是国产替代的核心瓶颈，突破光致产酸剂、特种树脂等原料封锁，可大幅降本，提升本土供应链的安全性与自主性。

· 效率提升的底层逻辑：优质原料能显著优化光刻胶的感光度、分辨率及耐刻蚀性，高适配树脂可降低显影缺陷率、提升成膜均匀性，直接推动制程良率与效率双重升级。

光刻胶组成

半导体光刻胶是多组分精密协同的功能材料，包括树脂、光致产酸剂、单体及其他溶剂。根据光刻技术类型（G/I 线、KrF、ArF、EUV）的不同，原料配比与选型差异显著。

（一）光致产酸剂（PAG）：光刻反应的 “关键组分”

作为化学放大型光刻胶的关键组分，光致产酸剂通过吸收光子产生强酸，触发树脂脱保护反应，其性能直接决定光刻胶的灵敏度与分辨率。

l 主流类型及特性

类型	代表产品	核心优势	适配制程
离子型PAG	三芳基硫鎓盐、二芳基碘鎓盐	量子产酸效率高、热稳定性好	适配传统及中端制程
非离子型PAG	磺酸酯类、萘酰亚胺类	酸扩散可控性强、低挥发性	适配高端先进制程

l 重点推荐光致产酸剂

N-羟基萘酰亚胺三氟甲磺酸酯（NHN-Tf） CAS号：85342-62-7	6-丁基-N-羟基萘酰亚胺三氟甲磺酸（6-Bu-NIOTf） CAS号：1610827-31-0	6-(2-甲氧基乙氧基)-N-羟基萘酰亚胺三氟甲磺酸 CAS号：2348470-19-7
双(4-叔丁基苯基)碘三氟甲磺酸盐 CAS号：84563-54-2	2-[(2,2-二氟-2-磺基乙酰基)氧基]乙基三环[3.3.1.13,7]癸烷-1-羧酸(4-甲基苯基)二苯基硫鎓盐 CAS号：1135815-31-4	4,4'-二(叔丁基苯基)碘鎓氯化盐 CAS号：5421-53-4

（二）树脂：光刻胶的 “成膜骨架”

树脂是光刻胶的基体材料，决定其成膜性、耐刻蚀性、附着力等核心物理化学性能，是影响光刻胶成本与性能的核心原料。

l 主流类型及特性

树脂类型	代表产品	核心优势	适配光刻胶品类
酚醛树脂	甲酚-甲醛共聚物	耐刻蚀性好、成本低	G/I 线光刻胶
聚羟基苯乙烯树脂	羟基苯乙烯-丙烯酸酯共聚物	高灵敏度、窄分子量分布	KrF 光刻胶
丙烯酸酯树脂	含氟/环烷基丙烯酸酯共聚物	透光性好、耐干法刻蚀	ArF 光刻胶
分子玻璃/有机杂化合物	聚碲氧烷、聚硅氧烷	光子吸收效率高、反应体积小	EUV 先进制程光刻胶（候选体系）

（三）单体：性能定制的 “基础单元”

通过调整单体的分子结构（如引入金刚烷基、氟烷基等基团），可直接决定树脂的光敏性、溶解性、耐热性，进而精准调控光刻胶的透光性、耐刻蚀性与显影对比度，适配不同制程的工艺窗口，是实现光刻胶性能定制化的关键。

l 重点推荐单体

（1）ArF光刻胶单体

2-甲基-2-金刚烷基甲基丙烯酸酯 CAS号：177080-67-0	2-异丙基-2-金刚烷基甲基丙烯酸酯 CAS号：297156-50-4	3-羟基-1-金刚烷基甲基丙烯酸酯 CAS号：115372-36-6
2-乙基-2-金刚烷基甲基丙烯酸酯 CAS号：209982-56-9	1-乙基环戊基甲基丙烯酸酯（ECPMA） CAS号：266308-58-1	1-甲基环戊基甲基丙烯酸酯 CAS号：178889-45-7
甲基丙烯酸 1-丁氧基乙酯（BEMA） CAS号：85997-75-7	更多产品请联系我们！